Bonjour Tournesol !
Je réponds tardivement à ton post du 17 février dont voici l'extrait qui va faire l'objet de mon explication:
Et justement la phrase "Le coefficient de réflexion Ï est défini comme le rapport de l'onde réfléchie sur l'onde incidente:
Ï est un vecteur dont :
-la longueur (ou module) est égale au rapport des amplitudes (valeurs crêtes des sinusoïdes)
|Ï|= |Vréfl.|/|Vinc.|," attire particulièrement mon attention. 
......
J'avoue être totalement perdu. 
Le S11 est défini comme le rapport "onde réfléchie" sur "onde incidente" (remplace onde par tension, c'est idem).
La tension réellement présente en un point du circuit est la somme algébrique de la tension incidente et de la tension réfléchie: cela donne typiquement des ondes dites
stationnaires sur une ligne de transmission dès lors que l'ensemble source-ligne-charge n'est pas adapté.
Le coefficient de réflexion S11 utilise donc la notion de
tension incidente,
mais qu'est ce au juste ?La tension incidente est par définition celle de l'onde progressive qui serait présente sur la ligne si celle ci était adaptée.
Dans le cas d'une source de tension Vs et de résistance interne Rs,
la tension incidente vaut alors Vs/2 (simple diviseur de tension entre Rs et Rcharge=Rs car adaptation).
Cette tension incidente Vs/2 est celle qu'utilise RFSim lorsque tu lui demandes une
simulation à 2 ports (cf la PJ):
tu vas pouvoir travailler avec le coefficient de transmission S21Dans cette simulation à
2 ports sans ligne de transmission: port1= entrée et port2= sortie, RFSim a besoin d'une
résistance minimum entre ses 2 ports: la valeur min qu'il accepte est 1µR (soit un millionième d'ohm mais le
caractère à utiliser n'est pas µ mais u (lettre U en minuscule) comme c'est assez courant avec des logiciels anglo saxons)
1- Si ton port 2 a une impédance adaptée (50 Ω donc): S11 vaudra (1-1)/(1+1) =0, la tension réfléchie sera donc nulle, la tension mesurée sur le port 2 sera uniquement la tension incidente et RFSim indique en
S21 (Linear V) la valeur 1, en 20log(V) la valeur -105.97 ndB (en nanodB donc soit une valeur nulle) et en 10log(P) -105.97 ndB aussi.
2-Tu peux alors modifier l'impédance de charge représentée par le port 2, par ex:
- Charge de 100 Ω: le S11 vaudra (2-1)/(2+1)=1/3. La tension réfléchie vaudra 0.33 x la tension incidente et la tension présente sera de 1.33 (x tension incidente) soit +2.5dB (référé à 0dB= tension incidente). La valeur en 10log(P) n'est plus égale à la valeur 20log(V) puisque l'impédance de charge n'est plus la référence 50 Ω qui donnerait des dBm)
-Charge de 75 Ω: le S11 vaudra (1.5-1)/(1.5+1)=0.2. La tension présente sera alors de 1.2 (x tension incidente) soit +1.58 dB en V (même punition pour 10log(P): valeur non calculée sur 50 Ω)
3- Tu peux alors pousser la valeur de la charge (Port2) de manière à obtenir une impédance réduite très grande (par exemple 50MR soit 50 MΩ) et donc un coef S11 qui tend vers +1: la tension présente (S21 en LinearV) sera 2x la tension incidente , soit +6.02 dB (en 10log(P) la valeur n'est pas en dBm bien sûr et d'ailleurs la puissance est tombé à -53.98dB puisque le courant est devenu quasi nul). Dans ce cas on retrouve bien le résultat classique de l' "adaptation en tension" chère aux électroniciens
NB: ce post est garanti "error-free" puisque testé avec RFSim (référence est faite ici au commentaire que j'ai ajouté à mon post du 19 février 08:43)
Bonne lecture et bons tests
Yffig
Auteur
Sujet: Essai par un électrotechnicien de RFsim99 et interprétations du paramètre S11 (Lu 6308 fois)