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De nouveau bonjour, merci pour ces corrections.

J'ai été voir des documents sur les AOP et contre réaction et je comprends mieux. Ça m'a beaucoup aidé vos explications.

De nouveau bonjour à  vous,

Merci pour vos conseils, ça répond vraiment bien à  mon interrogation.

C'était une question au sens général sans schéma ou application en particulier.

Bonjour à  vous,



Je me demande si dans certains cas pour déterminer la résistance en série avec la base d'un transistor bipolaire, il est logique de tenir compte de ce que je pense être la capacité parasite du transistor ? Comme un RC autrement-dit déterminer le temps de charge de cette capacité à  travers la résistance qu'on aura choisi.

Par exemple le 2n3904 a :
Cobo = 4pF
Cibo = 8pF

J'aimerais bien vos conseils de pro :)

Merci d'avance.

Au lieu de brancher le signal alternatif directement sur le PNP comme les schémas précédents qui sont là  pour poser des questions, je pense plutôt au schéma ci-dessous qui me semble une meilleure pratique (dans l'idée et sans connaître les fréquences attendues, les courants, les tensions, les gains,cetc...)...

Bonjour à  vous, ok j'ai compris mon erreur sur le 5ème schéma en partant de la fin.

Mais sinon les trois derniers schémas sont bons ?

J'ai une autre question, pour protéger un bipolaire PNP de la tension inverse c'est bien comme le schéma suivant dans cette situation ?



Merci

Ok je comprends mais ça fait mal à  ma tête car je ne suis pas abitué à  faire des circuits avec des différences de potentiel négatives... Quand la sinusoïdale est en négatif, le potentiel entre l'anode et la cathode de la diode ne peut monter que jusqu'au seuil de la diode. Ce potentiel est maintenu.



Donc une diode classique placée comme le schéma ça protège contre les tensions négatives, et une diode zener placée pareil pour un MOSFET canal N ça protège pour ne pas dépasser le VGS max et protège contre les tensions négatives aussi ?

Je ne comprends pas ici pourquoi en négatif il n'y a que 483mV ?

D'accord pour le montage avec diode classique.

Pour le montage avec diode zener cathode à  la masse pourquoi le NPN ne fonctionne pas en commutation ?

Apparemment c'est ça qu'il faut faire comme vous avez expliqué :



Mais je ne comprends pas tout, notamment pourquoi avec la diode zener si le simulateur dit vrai, le transistor ne sature pas...

Ok j'ai refait des essais et j'avoue que je ne comprends plus rien avec les diodes...

Ok merci pour vos réponses.
Donc si je comprends c'est bien VEB dont on parle et il faut éviter de dépasser ça, ce qui ne se produit pas effectivement dans les deux schémas que j'ai dessiné.

Pour un MOSFET il faut protéger VGS aussi suivant le schéma et les tensions mises en oeuvre.

Bon, je pense que le schéma suivant est logique pour un transistor 2N3904 (VEB 6V) d'après ce que vous m'avez expliqué :




Autre question, quand une fiche technique de MOSFET nous indique : VGS ± 20V

Celà  signifie VGS = +20V et VSG = +20V ?

Merci d'avance.

D'accord je comprends.
Oui les résistances ne limitent que (I) le courant.

Mais ce que j'aimerais comprendre en prenant deux autres fiches techniques :
2N3904 : https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/2n3903-d.pdf
2N3906 : https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/2n3906-d.pdf

2N3904 VEBO = 6V
2N3906 VEBO = 5V



Dans le schéma du haut le transistor ne se détruit pas ?

Il se détruirait si VBE serait -7V par exemple ?
Donc VEB +7V ?


En résumé ce que j'aimerais peut-être savoir c'est, si il n'y a pas besoin de protéger les transistors bipolaires en limitant la VBE, pourquoi on doit protéger les transistors MOSFET en limitant la VGS ?

Exemple :

Merci pour vos réponses, mais je ne comprends pas ce que veut dire la tension directe ? Et je ne comprends toujours pas si VBE est 5V ou 1V, comme le document mentionne : SAT et ON voltage

Ma diode Schottky c'est pour protéger lorsque l'alimentation du circuit est enlevée. Pour éviter que la différence de potentiel de l'émetteur à  la masse soit supérieure à  celle du collecteur à  la masse : "Reverse Bias & Reverse Discharge"

Ah ok je vois la figure 12, mais ce n'est pas une figure qui montre à  quelle différence VBE le transistor est pleinement saturé ? Car en effet le 1V mentionné est bien dans une autre partie indiqué comme étant "Baseâˆ'Emitter On Voltage".

Autre chose, dans ce document il y a le NPN et le PNP, est ce que la tension absolue 5V VEB ce serait valable PNP et NPN (en inversant VEB par VBE) ? Ou j'ai peut-être rien compris.

Je pense vraiment que le VBE sur mon montage tourne toujours autour de 1V max via le fonctionnement du TL431, mais ça me semble utile d'avoir votre aide là -dessus.