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Messages - sylvainmahe

#166
Ok merci !

J'ai regardé un peu la chaîne youtube du monsieur c'est très bien expliqué (même si je ne comprends pas tout).
#167
Bonjour à  vous bidouilleurs,

Document 2N3904 : https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/2n3903-d.pdf

Un ami m'a déjà  demandé ce que signifie les dB indiqués pour la "noise figure". Je n'ai pas réussi à  répondre vraiment.

Ce serait la dégradation du signal sur bruit ? Le signal serait notre signal sur "l'entrée", base émetteur ?

Merci d'avance.
#168
De nouveau bonjour, merci pour ces corrections.

J'ai été voir des documents sur les AOP et contre réaction et je comprends mieux. Ça m'a beaucoup aidé vos explications.
#169
De nouveau bonjour à  vous,

Merci pour vos conseils, ça répond vraiment bien à  mon interrogation.

C'était une question au sens général sans schéma ou application en particulier.
#170
Bonjour à  vous,



Je me demande si dans certains cas pour déterminer la résistance en série avec la base d'un transistor bipolaire, il est logique de tenir compte de ce que je pense être la capacité parasite du transistor ? Comme un RC autrement-dit déterminer le temps de charge de cette capacité à  travers la résistance qu'on aura choisi.

Par exemple le 2n3904 a :
Cobo = 4pF
Cibo = 8pF

J'aimerais bien vos conseils de pro :)

Merci d'avance.
#171
Au lieu de brancher le signal alternatif directement sur le PNP comme les schémas précédents qui sont là  pour poser des questions, je pense plutôt au schéma ci-dessous qui me semble une meilleure pratique (dans l'idée et sans connaître les fréquences attendues, les courants, les tensions, les gains,cetc...)...

#172
Bonjour à  vous, ok j'ai compris mon erreur sur le 5ème schéma en partant de la fin.

Mais sinon les trois derniers schémas sont bons ?
#173
J'ai une autre question, pour protéger un bipolaire PNP de la tension inverse c'est bien comme le schéma suivant dans cette situation ?



Merci
#174
Ok je comprends mais ça fait mal à  ma tête car je ne suis pas abitué à  faire des circuits avec des différences de potentiel négatives... Quand la sinusoïdale est en négatif, le potentiel entre l'anode et la cathode de la diode ne peut monter que jusqu'au seuil de la diode. Ce potentiel est maintenu.



Donc une diode classique placée comme le schéma ça protège contre les tensions négatives, et une diode zener placée pareil pour un MOSFET canal N ça protège pour ne pas dépasser le VGS max et protège contre les tensions négatives aussi ?

#175
Je ne comprends pas ici pourquoi en négatif il n'y a que 483mV ?

#176
D'accord pour le montage avec diode classique.

Pour le montage avec diode zener cathode à  la masse pourquoi le NPN ne fonctionne pas en commutation ?

#177
Apparemment c'est ça qu'il faut faire comme vous avez expliqué :



Mais je ne comprends pas tout, notamment pourquoi avec la diode zener si le simulateur dit vrai, le transistor ne sature pas...
#178
Ok j'ai refait des essais et j'avoue que je ne comprends plus rien avec les diodes...


#179
Ok merci pour vos réponses.
Donc si je comprends c'est bien VEB dont on parle et il faut éviter de dépasser ça, ce qui ne se produit pas effectivement dans les deux schémas que j'ai dessiné.

Pour un MOSFET il faut protéger VGS aussi suivant le schéma et les tensions mises en oeuvre.

Bon, je pense que le schéma suivant est logique pour un transistor 2N3904 (VEB 6V) d'après ce que vous m'avez expliqué :




Autre question, quand une fiche technique de MOSFET nous indique : VGS ± 20V

Celà  signifie VGS = +20V et VSG = +20V ?

Merci d'avance.
#180
D'accord je comprends.
Oui les résistances ne limitent que (I) le courant.

Mais ce que j'aimerais comprendre en prenant deux autres fiches techniques :
2N3904 : https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/2n3903-d.pdf
2N3906 : https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/2n3906-d.pdf

2N3904 VEBO = 6V
2N3906 VEBO = 5V



Dans le schéma du haut le transistor ne se détruit pas ?

Il se détruirait si VBE serait -7V par exemple ?
Donc VEB +7V ?


En résumé ce que j'aimerais peut-être savoir c'est, si il n'y a pas besoin de protéger les transistors bipolaires en limitant la VBE, pourquoi on doit protéger les transistors MOSFET en limitant la VGS ?

Exemple :