mosfet et beta

[Bruneau]

Bonjour,

J’utilise le simulateur falstad et j’ai un problème avec ses mosfet.

Lors de l’utilisation de ce composant, dans ses caractéristiques il demande le Beta du mosfet (exprimé en m) et j’ai pu constaté que c’est une caractéristique déterminante pour le comportement de ce composant.

Pouvez-vous m’indiquer de quoi il s’agit ? Cela s’appelle peut-être autrement car je n’ai rien trouvé sur le net ni dans mes doc de référence.

A l’occasion connaissez-vous de la documentation sur ce soft que j’apprécie de plus en plus à  l’usage.

Merci.

[loulou31]

Bonjour,

Le beta s'applique en general aux transistors bipolaires et correspond au gain en courant ( Ic/Ib). Dans un Mosfet il n'y a pas de courant d'entrée et dans ce cas on parle de transconductance: gm  le rapport Id/Vg en mA/V.

Jean-Louis

[loulou31]

Voir :
http://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/fa98/lectures_fall_98/091898_lecture11.pdf
Je viens de regarder fastad et en effet il est bien indiqué "m" dans le menu de paramétrage du mosfet mais  en fait c'est bien  gm don't il s'agit.

Attention gm est la pente en dynamique et depend du point de fonctionnement : valeur de Id et de Vgs. Le courant de sortie est une fonction non linéaire de la tension d'entrée : proportionnel au carré de  (Vgs-Vt).
On parle aussi de transconductance gm (Ic/Vbe) pour un transitor bipolaire et dans ce cas c'est aussi un fonction non linéaire de la tension Vbe, mais c'est une function exponentielle.   Dans ce cas la pente gm en dynamique ( petits signaux) est environ égale à  35* Ic (quelque soit le transistor le transitor bipolaire, 35 = 1/(k*T/q)) : par exemple pour un courant collecteur de 1mA la pente est de 35mA/V.

Jean-Louis

[Bruneau]

Merci loulou31, j'ai une piste pour avancer.
A+