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[sylvainmahe]

Bonjour à  vous,

Schéma :


Je mettrais bien une diode zener 4.3V (BZX85C4V3) entre l'émetteur et la base du MJE15032 afin de le protéger car sa VBE absolue est de 5V.

Selon ce que j'ai compris cette différence de potentiel n'est jamais atteinte car immédiatement que la tension augmente entre l'émetteur et la masse au delà  de +5V + tolérance (sortie regulée), via le pont diviseur de tension le TL431 pilote son npn interne via son aop interne, et donc la VBE chute immédiatement.

Qu'en pensez-vous ?

MJE15032 : https://www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/mje15032-d.pdf
TL431 : https://www.ti.com/lit/gpn/TL431

Merci d'avance.

[papyblue]

Bonjour Sylvain,
Vous avez fait une erreur de lecture de la datasheet, 5V c'est VEB donc la tension inverse. La tension directe ne dépasse pas 1,1 V (figure 12) pour un courant de 10 Ampères.

[sylvainmahe]

Ah ok je vois la figure 12, mais ce n'est pas une figure qui montre à  quelle différence VBE le transistor est pleinement saturé ? Car en effet le 1V mentionné est bien dans une autre partie indiqué comme étant "Base−Emitter On Voltage".

Autre chose, dans ce document il y a le NPN et le PNP, est ce que la tension absolue 5V VEB ce serait valable PNP et NPN (en inversant VEB par VBE) ? Ou j'ai peut-être rien compris.

Je pense vraiment que le VBE sur mon montage tourne toujours autour de 1V max via le fonctionnement du TL431, mais ça me semble utile d'avoir votre aide là -dessus.

[papyblue]

Oui, 1V en tension directe sur la jonction Base Emetteur d'un NPN de puissance c'est correct et conforme à  la spécification du constructeur. Il est vrai que le mélange dans le même document d'un NPN et d'un PNP peut amener à  des incompréhensions. Dans votre montage, la diode shottky garantit que la tension VEB ne dépassera pas 0,5V donc à  fortiori 5V.

[sylvainmahe]

Merci pour vos réponses, mais je ne comprends pas ce que veut dire la tension directe ? Et je ne comprends toujours pas si VBE est 5V ou 1V, comme le document mentionne : SAT et ON voltage

Ma diode Schottky c'est pour protéger lorsque l'alimentation du circuit est enlevée. Pour éviter que la différence de potentiel de l'émetteur à  la masse soit supérieure à  celle du collecteur à  la masse : "Reverse Bias & Reverse Discharge"

[papyblue]

J'entends par direct le sens passant de la jonction c'est à  dire la tension VBE positive et supérieure au seuil de la jonction. Le sens inverse est celui avec la tension VBE négative (VEB positive) ou la jonction est bloquée. C'est dans ce dernier cas que la tension doit être limitée à  5V. Dans le sens passant c'est le courant maxi qu'il faut respecter (la tension VBE n'étant qu'une conséquence)

[sylvainmahe]

D'accord je comprends.
Oui les résistances ne limitent que (I) le courant.

Mais ce que j'aimerais comprendre en prenant deux autres fiches techniques :
2N3904 : https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/2n3903-d.pdf
2N3906 : https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/2n3906-d.pdf

2N3904 VEBO = 6V
2N3906 VEBO = 5V



Dans le schéma du haut le transistor ne se détruit pas ?

Il se détruirait si VBE serait -7V par exemple ?
Donc VEB +7V ?


En résumé ce que j'aimerais peut-être savoir c'est, si il n'y a pas besoin de protéger les transistors bipolaires en limitant la VBE, pourquoi on doit protéger les transistors MOSFET en limitant la VGS ?

Exemple :

[papyblue]

Bonjour,
Dans le premier schéma, il n'y a pas de possibilité pour que la tension de la Base devienne négative. En conséquence dans le second schéma la diode zéner ne sert à  rien.
Par contre, si cet étage d'amplification (avec une autre polarisation) était relié avec un condensateur à  un signal de forte amplitude alors la tension VBE pourrait s'inverser.
Les éléments de protection ne sont utiles que s'il y a un risque de dépasser les valeurs limites données par le fabricant.
D'autre part, il n'y a pas de destruction systématique la jonction se comporte comme une diode zener si le courant est limité, le transistor reprendra son fonctionnement normal une fois l'anomalie passée.
Pour les autres transistors (ou tout composant), les éléments de protection sont à  déterminer dans le contexte du montage et des valeurs limites autorisées par le fabricant ou celles que l'on s'impose pour avoir une marge de sécurité supplémentaire.

[loulou31]

Bonjour,

Dans le premier schéma, si la tension de sortie était de plus de 5v, la tension Vbe inverse aurait put être de plus de 5V si on coupe la tension d'entrée la sortie n'étant pas chargée. Dans ce cas on aurait pu mettre une diode en inverse sur la jonction base émetteur. Il ne faut pas mettre une zener car la tension directe de la zener serait en // de la jonction directe base et émetteur.
Papyblue a très bien expliqué le problème de Vbe inverse.

 Cordialement
Jean-Louis
r.

[sylvainmahe]

Ok merci pour vos réponses.
Donc si je comprends c'est bien VEB dont on parle et il faut éviter de dépasser ça, ce qui ne se produit pas effectivement dans les deux schémas que j'ai dessiné.

Pour un MOSFET il faut protéger VGS aussi suivant le schéma et les tensions mises en oeuvre.

Bon, je pense que le schéma suivant est logique pour un transistor 2N3904 (VEB 6V) d'après ce que vous m'avez expliqué :




Autre question, quand une fiche technique de MOSFET nous indique : VGS ± 20V

Celà  signifie VGS = +20V et VSG = +20V ?

Merci d'avance.

[sylvainmahe]

Ok j'ai refait des essais et j'avoue que je ne comprends plus rien avec les diodes...

[sylvainmahe]

Apparemment c'est ça qu'il faut faire comme vous avez expliqué :



Mais je ne comprends pas tout, notamment pourquoi avec la diode zener si le simulateur dit vrai, le transistor ne sature pas...

[papyblue]

Le montage est correct, le transistor fonctionne bien en commutation.
La diode sur la base protège bien le transistor en limitant à  - 0,48V.
La tension de base monte à  0,65 V ce qui est correct pour la jonction base émetteur.

[sylvainmahe]

D'accord pour le montage avec diode classique.

Pour le montage avec diode zener cathode à  la masse pourquoi le NPN ne fonctionne pas en commutation ?

[sylvainmahe]

Je ne comprends pas ici pourquoi en négatif il n'y a que 483mV ?