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Protection VGS, quelle est la meilleure solution ?

Démarré par sylvainmahe, Janvier 05, 2024, 05:39:49 PM

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sylvainmahe

Bonjour :)

Pour un régulateur maison entrée +30V sortie +5V je me demande quelle serait la meilleure solution pour protéger VGS.

D'après ce qu'on m'a expliqué et ce que je comprends maintenant,  le transistor travaille en régime linéaire, et finalement il est saturé en régime non-linéaire uniquement lorsque la tension d'entrée moins dropout grossièrement descend en dessous de +5V, ce qui permet de laisser passer le courant sans tenter de le réguler.

Et donc je pense que ce mosfet n'a pas besoin d'être protégé. C'est éventuellement ma première question.


Maintenant, si il a besoin de protection, j'hésite entre trois schéma, l'un fait intervenir une zener mais j'ai un doute sur la fiabilité car j'ai besoin de la pullup.

Un autre est avec une résistance entre G et S mais on est en configuration pont diviseur de tension. Heureusement il y a un rapport important entre R6 et R7.

Et un autre schéma encore pour R6 venant derrière R7 pour éviter la configuration pont diviseur de tension.

Ensuite, je pense que la simple résistance en maintient de la différence de potentiel max VGS doit être plus efficace qu'une zener dans cette situation, qui elle demande une résistance série pour limiter le courant, qui demande un courant minimum, qui a des délais de recouvrement etc...







Qu'en pensez-vous ?

Merci à vous les bidouilleurs :)

sylvainmahe

Je me réponds à moi même :
Je pense que la meilleure solution sécuritaire est le deuxième schéma, car l'effet pont diviseur est négligeable.

Et je pense que la solution à tester est le premier schéma car le transistor va fonctionner en régime linéaire, donc il sera toujours dans sa plage VGS 2V à 4V, autrement dit il ne dépassera jamais VGS max de 20V.

loulou31

Bonjour,
Dans les limites max d'un composant il faut tenir compte des régimes transitoires et seul le dernier schéma possède une protection contre le Vgs max a mon avis....


Jean-Louis

loulou31

Bonjour,

Une question : la diode D1 est celle intégrée intrinsèquement a MOSFET ou c'est une diode de protection externe? Dans ce dernier cas il faut un modele plus rapide et dont la tension de seuil est inférieure à la diode interne do MOSFET.

Jean-Louis

sylvainmahe

Bonjour !
D'accord la diode est externe pour maintenir la différence de potentiel de la diode en sens passant quand j'enlève mon alimentation d'un coup par exemple.

loulou31

Bonjour,

Est ce que tu as pu passer de la théorie a la pratique avec tes montages?

Jean-Louis

sylvainmahe

Bonjour JL, pas encore car je n'avais plus accès au fablab. Mais je vais dessiner un pcb avec certainement plusieurs composants NC pour faire des essais.

loulou31

Bonjour,

A mon avis le mieux pour valider des circuits de ce type c'est d'utiliser un breadboard. C'est beaucoup mieux pour ajouter supprimer remplacer des composants qu'un circuit imprimé spécifique, qu'il faut dessiner fabriquer, et qui très probablement ne conviendra pas.
Pour tester vos circuits il suffit d'une alimentation stabilisée DC et un multimètre, donc peut être pas besoin d'avoir accès a fablab?

Jean-Louis

sylvainmahe

Bonjour Jean-Louis, oui je comprends bien. En fait je n'ai jamais aimé l'approche de la breadboard, je ferais un circuit en l'air sûrement si pas de pcb, ça permet de le faire plus proche de comment il sera sur un pcb.

Rien n'est pressé :)

sylvainmahe

Ce qui me venait à l'esprit c'est qu'une simple résistance ne possède pas de temps de recouvrement et absorberait la différence de potentiel nécessaire. Mais effectivement quid des régimes transitoirs, j'aurais imaginé qu'ils seraient absorbé aussi.