Bonjour,
Le question est intéressante.
En fait il faut faire attention aux schémas équivalents qui pour un composant non linéaire comme un transistor, n'est valable qu'en petits signaux et pour un point de fonctionnement donné. On ne peut donc pas parler de constante de temps de charge qui suppose une variation importante de la tension, et donc une variation de la capacité et des autres paramètres (gm....) En fonction de la tension Vbe et du courant collecteur.
On peut seulement en déduire un fonctionnement en petits signaux autour d'un point de fonctionnement. Attention car la capacité qui limite la bande passante est le plus souvent la capacité base collecteur, en effet il il a un effet de contre réaction important qui limite le gain de l'étage. Tout dépend du montage et il y a des moyens de réduire l'effet de cette capacité base collecteur en utilisant un montage dit cascode, l'étage de sortie fonctionnant en base commune.
Le mieux pour voir le comportement dynamique est d'utiliser un simulateur type Spice pour voir le comportement aussi bien en petits signaux ( mode AC) qu'en grands signaux ( mode transitoire temporel). Attention quand même car les modèles sont en général assez limités en HF pour les comportements transitoires en signaux de grande amplitude : comportement bon linéaire.
Pour en revenir à la question, il faut toujours essayer d'attaquer le transistor avec une résistance série faible pour augmenter la réponse en fréquence. Même avec des transistors FET, qui ont une très grande résistance d'entrée mais une capacité Gate source souvent élevée ou même très élevée....et c'est pour cela qu'il existe des circuits spécialisés pour driver les FET de puissance dans les applications de commutation.
Il serait intéressant que vous nous donniez le contexte par rapport à cette question, si c'est lié à un schéma particulier.
Jean-Louis
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Sujet: Capacité parasite transistor bipolaire (Lu 2168 fois)