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Importation de composant sous LTspice

Démarré par YD, Mars 25, 2020, 08:03:34 AM

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YD

Bonjour,

Comment intégrer sous LTspice XVII le modèle de composant VEC2616, modèle dispos chez On semiconductor:

https://www.onsemi.com/support/design-resources/models?rpn=VEC2616

J'ai essayé les techniques décrites dans la vidéo EB_#206 Introduction à  LTSpice, Partie 4: Importation de Composants
Mais rien ne fonctionne correctement.
Merci pour votre aide

papyblue

Bonjour YD,

Il semble qu'il faille s'enregistrer pour télécharger le fichier ? Est-il possible de l'avoir en pièce jointe ?

Merci.

loulou31

Bonjour,

Pas besoin de s'enregistrer pour télécharger le fichier. Il suffit de cliquer sur le nom du fichier (.zip)


Jean-Louis

Yffig

#3
Bonjour à  tous,

J'ai pu télécharger le .zip directement à  partir du lien donné par YD.
Il contient entre autres un readme qui précise en "pidgin' english" qu'il faut adapter ce modèle fourni (VEC2616-SPICE-D.txt) selon le simulateur Spice...
De ma propre expérience, pour un MOSFET (et encore plus lorsqu'il s'agit d'une "puce" de MOS complémentaires), LTSpice a besoin d'un modèle en  .subckt pour importer le modèle dans \Autogenerated... plus la définition séquentielle des broches du circuit.
Or je ne vois rien de tout ça dans le .txt fourni...
Donc, ....je sais pas faire non plus !
Peut être qu'en copiant le texte directement dans un .asc, ça peut le faire ?
Désolé de ne pouvoir t'aider (j'ai déjà  qq échecs d'import dans LTSpice à  mon palmarès mais en général j'y arrive) , regarde alors du côté de LTWiki ou du groupe LTSpice de Yahoo!, par exemple.

Yffig

papyblue

Bonjour,
J'ai réussi (à  télécharger) et à  faire fonctionner en récupérant uniquement la partie modèle de la bibliothèque.

PB

YD

Bonsoir  PB
Pouvez-vous préciser comment vous avez réussi a faire fonctionner ce composant?Vous est il possible de nous envoyer votre design *.asc et nous préciser ou vous avez positionner le fichier .MODEL
MerciYD

papyblue

#6
Bonjour YD,

J'ai d'abord tenté d'utiliser le fichier tel quel mais sans succès. A la lecture du fichier j'ai fait les hypothèses suivantes:
- il s'agit d'une "librairie" qui regroupe la description de deux composants l'un NMOS, l'autre PMOS.
- LTSpice ne doit pas comprendre le format du fichier

J'ai donc découpé le fichier pour créer un contenant seulement la description d'un seul transistor (cela devrait aussi marcher avec deux)
Accessoirement j'ai changé le nom et renommer le fichier (mais ce n'est pas nécessaire)
J'ai inséré dans mon design un transistor NMOS et je lui ai donné le nom que j'avais choisi ( CTRL Clic droit Value = VEC2616_N)
J'ai mis deux trois bricoles autour pour faire une simulation ( c'est n'importe quoi) juste pour vérifier qu'il n'y a pas d'erreur.
J'ai bien sûr inclus le fichier avec le nom que je lui ai donné et voilà  le tour est joué.

Bonne journée

PB, un combattant de 3ème ligne.

YD

#7
Bonjour PB,

Merci pour ces infos, j'ai effectivement réussi.
Toutefois la simulation est totalement incorrecte voir design joit et résultats
Il n'est pas normal d'avoir un Vds autour de 28V avec un Vgs de 10V
Ne faut il pas inclure les paramètres L, W et AD  voir RG et RB qui sont décrits dans le fichier pdf qui suit le modèle VEC2616 sur le symbole du composant ? Je ne sais pas ...?
Je ne maîtrise pas suffisamment LTspice, je sais que sous Pspice cadence dans les propriétés du symbole il faut renseigner les champs W,L et AD pour que cela fonctionne.

Bonne journée.
YD
[img][C:\Projets\GSE\simu]

Yffig

Bonjour YD

Ta pièce intégrée en image dans le corps de ton post ne passe pas (je crois qu'elle doit normalement être via une URL et donc placée sur un site adéquat). Essaie de la mettre en PJ pour un accès direct.
J'avais essayé hier en mettant la définition du .model directement dans un .asc basique (plus directive .op) et, après un message d'erreur, LTSpice m'a fournit des résultats calculés avec le modèle générique du MOSFET Channel N (donc faux).
Tous les MOSFET que j'ai pu importer avec succès dans LTSpice l'ont toujours été via un .subckt.
Si on regarde le fichier standard.mos (par ex la définition du 2N7002), est il possible d'intégrer le modèle que tu as directement dans  ce fichier ? les différents MOS qui s'y trouvent ont un mot-clé" VDMOS", sais tu à  quoi il se réfère ?

Yffig


loulou31

Bonjour,

Oui YD a raison et  il faut entrer W,L et Ad dans le modéle du mos FET : voir :

https://www.youtube.com/watch?v=BMPvrlq6M68

Bonne simu

Jean-Louis

Yffig

#10
Bonsoir YD !

En jetant un oeil sur le lien fourni par Jean Louis, on s’aperçoit  que le composant utilisé est un NMOS4 avec substrat et source reliés dans l' .asc.
En ajoutant les paramètres  W, L et AD on peut effectivement déjà  obtenir qq chose qui ressemble à  un MOSFET N: cf tracé de Ids(Vgs) à  Vds =10V ... Ce n'est pas la courbe donnée par le datasheet, et il y a sans doute d'autre(s) paramètre(s) à  préciser mais ça commence à  ressembler à  qq chose.

Yffig

YD

Bonjour à  tous,

OK merci effectivement en utilisant le lien fourni par Jean-Louis et la simu de Yffig on a un mos qui semble fonctionner.
Merci a vous tous pour votre aide.

YD

Yffig,

Je viens de regarder la simulation que vous avez joint.
Il y a effectivement quelques petits problèmes.
Sur le schéma remplacer la référence designator  VEC2616_NCh par une ref topo de composant ex: M1
Remplacer la value de M1 par VEC2616_NCh

Le texte rajouté sur le schéma .MODEL n'est pas un commentaire mais doit être une directive Pspice.
Mettre en commentaire la dernière ligne du fichier *.ENDL VEC2616_Nch

Passer le paramètre de V2 stop value à  4V

Lancer la simu, vous trouverez ci-joint le design corrigé.
Comme était fait votre schéma initial, le simulateur prenait le modèle pspice du NMOS générique.

Bonne journée.


Yffig

Bonjour YD !,

Merci pour la correction ! (effectivement je n'avais pas vu que mon modèle inséré n'était qu'un banal texte...sans doute parce que je ne procède jamais comme cela).
J'avais par ailleurs essayé avec les deux résistances Rg et Rb sans que cela ne change rien.

Sais tu pourquoi  les diodes internes ne paraissent pas définies dans le modèle ? (même avec le Help pour M.MOSFET, je n'en vois pas la moindre trace...), alors que lorsque j'importe un MOSFET via un .subckt, ces diodes sont bien explicites (et c'est sans doute pour cela, entre autres raisons que c'est un .subckt)

Je vais regarder le P-Channel et faire une simulation d'inverseur CMOS ensuite.

Bonne journée et encore merci, à  Jean Louis aussi !

Yffig